磁电存储和HBM存储是两种不同的内存技术。磁电存储，也称为MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory），是一种利用磁性材料来存储数据的技术。它的优势在于速度快、耐用性强且不易失。然而，它的成本较高，容量也相对较小。

相比之下，HBM（High Bandwidth Memory）是一种高性能的RAM技术，它将多个DDR芯片堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）技术实现高速数据传输。HBM的优势在于其高带宽和低功耗，但成本也相对较高。